分類: 最新資訊 常識(shí)詞典 編輯 : 常識(shí) 發(fā)布 : 04-17

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快科技4月16日消息，三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層，相比現(xiàn)在的236層只增加不到23％。這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu)，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層閃存陣列，再上邊又是145層閃存陣列。這種方法雖然更復(fù)雜，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以輕松進(jìn)一步拓展。按照三星的規(guī)劃，2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND，進(jìn)一步堆疊到430層。更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，三星可能會(huì)在2030年左右做到1000層。中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)在今年下半年量產(chǎn)300層，SK海力士計(jì)劃明年初量產(chǎn)321層，鎧俠號(hào)稱2031年量產(chǎn)1000多層！

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